5月4日消息，英飛凌科技股份公司（后稱“英飛凌”）5月3日官網發布消息，公司與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司

（簡稱“天科合達”）簽訂了一份長期供貨協議，天科合達將為英飛凌供應用于生產SiC半導體的6英寸碳化硅材料，其供應量占到英飛凌未來長

期預測需求的兩位數份額。

公開信息顯示，英飛凌是國際知名的半導體公司。此前，英飛凌制訂了遠景目標，表示將在2030年達成30%全球SiC市場份額。

天科合達股東包括深創投、中科創星、國家集成電路產業投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時代、潤科基金等。公司成立于2006年，

成立之初的主要技術源自中科院物理研究所，主要產業化支持資金來源于新疆天富集團。在導電襯底領域，天科合達在2021年國際市場占有率排

名第四。

據介紹，英飛凌位于馬來西亞居林的碳化硅工廠計劃于2024年投產，預計天科合達將會有效保證該廠的碳化硅晶圓供應。

中科院物理研究所碳化硅團隊負責人、天科合達首席科學家陳小龍表示，碳化硅是引領第三代半導體產業發展的重要材料，具有禁帶寬度大、飽

和電子遷移率高、導熱性能等優勢，特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導體器件。未來碳化硅器件將會覆蓋更高電壓等級器件，可應用

于軌道交通和智能電網等領域。

陳小龍提到，碳化硅（SiC）晶體生長極其困難，上世紀90年代只有少數發達國家掌握SiC晶體生長和加工技術，我國起步較晚。為推動SiC晶體國

產化，避免我國寬禁帶半導體產業被“卡脖子”，團隊從1999年開始，從基礎研究到應用研究，自主研發突破了從生長設備到高質量SiC晶體生長

和加工等關鍵技術，形成了具有自主知識產權的完整技術路線，進而推動國內第一家SiC晶體產業化公司北京天科合達成立。

對于這次簽約，陳小龍表示，國際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長約，一直是普遍的做法，英飛凌鎖定天科合達的部分產能，即有利于推動天科合

達技術進步，也鞏固了英飛凌的供應鏈系統，是一個雙贏的選擇。“目前物理所研發團隊還關注碳化硅液相法晶體生長技術，希望基礎研究上跟進

一步，為其產業化發展奠定基礎。”（一橙）